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熔鹽電沉積過程溫度對1.6Si無取向硅鋼Si擴(kuò)散的影響

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試驗了通過NaCl-KCI-NaF-SiO2熔鹽在電流密度50mA/cm2、電沉積脈沖電流正反向9:1和750~850℃ 60min電沉積下陰極（/mm）20×20×0.5的1.6Si無取向冷軋硅鋼片斷面層硅的分布，并通過計算得出Si…

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