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電源占空比對(duì)TC4合金微弧氧化生物膜層性能影響

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為了利用微弧氧化工藝在鈦合金表面制備鈣磷生物膜層，并確定該工藝電源占空間對(duì)比膜層性能影響。研究了在恒電流和恒電壓下，電源占空比對(duì)于膜層厚度、表面粗糙度和鈣磷摩爾含量的影響規(guī)律。

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